技术指标：E-T二次电子探头（30kv下1.0 nm, 30kv下2.5 nm, 3kv下3.0 nm）、气体二次电子探头（GSED）、低真空环境（30kv下1.4 nm SE, 30kv下2. 5nm-BSE, 3kv下3.0 nm-SE）、样品室真空<6e-4 Pa, 低真空<10 to 130 Pa, 环境真空模式<10 to 4000 Pa。样品室左右内径284 mm, X/Y=150 mm, Z = 65 mm。

功能特色：低真空模式，满足非导电地质和材料样品的观测；超大样品室；样品台可自由水平旋转、倾斜运动；背散射图像与二次电子图像的合成；该电镜与EDS、EBSD、CL设备和信息同步共享。