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场发射扫描电镜
仪器设备名称:场发射扫描电镜 | 仪器设备分类编号:2000000 |
仪器设备厂商及型号:FEI公司;Nanosem430 | 购置时间:2009年9月 |
国别:美国 |
技术指标及功能简介
电子枪
加速电压:200V-30kV,连续可调
着陆电压:50V-30kV,连续可调
电子束流:可达100nA
分辨率
高真空:1.0nm @ 15 kV, 1.6nm @ 1 kV;
低真空模式: 1.5nm @ 10kV; 1.8nm @ 3kV;
低真空:1.8nm @ 3 kV (Helix探头);
背散射电子(BSE):2.5nm @ 30kV;
探测器
高真空模式E-T二次电子探头(Everhardt Thornley SED);
极靴内TLD二次电子探头(In-lens SE/BSE Detector);
低电压高衬度探头(vCD)
低真空模式LVD二次电子探头(LVD );
低真空模式超高分辨Helix二次电子探头(UHR low vacuum Helix Detector);
红外CCD相机(IR-CCD)
主要附件
X射线能谱仪(EDX):可对样品进行微区成分定性、半定量、定量分析,分析元素范围:(5B-92U);
主要研究方向:适用于纳米材料精细形貌的观察,可获得高质量高分辨二次电子图像,其图象质量明显优于普通扫描电镜。该设备适用于物理、材料、半导体、超导体、化学高分子、催化剂、地质矿物、生物、医学等领域的微观研究。