技术指标及功能简介:高真空模式分辨率3.5nm，低真空模式分辨率4.5nm，放大倍数8~300000，加速电压0.5~30KV，最大样品尺寸150mm dia，探测器（二次电子探测器，高灵敏半导体探测器），图象种类（二次电子图像，背散射像）。观察固体材料表面的二次电子像和背反射电子。

主要研究方向:本实验室主要研究以锂离子二次电池为基础的新型储能材料（如Mn、Co、Ni等与Li形成的氧化物等）的合成、表征和性能。本仪器主要用于研究材料的表面形貌，颗粒尺寸以及材料堆积形式，从而研究影响材料电化学性能的各种因素。

所获奖项或专利:2003年北京市科学技术一等奖；2004年国家科技进步二等奖；2005年北京市科技进步一等奖；2007年教育部科学技术一等奖；2008年国家科技进步二等奖。

人才培养:本实验室自成立以来，已培养硕士研究生1人，博士研究生8人，出站博士后10人。目前在读博士生4人，博士后2人。