技术指标：二次电子分辨率1.0nm(15KV),2.0nm(1KV),1.4nm(1KV减速模式);加速电压0.5-30KV(0.1KV/步,可变),放大倍率:X20-X800000;二次电子检测器,物镜光阑,4孔,真空外选择和调校。

功能特色：适合于研究样品表面的形态特点。采用了新型的ExB式探测器和电子束减速功能，提高了图像质量，尤其是将低俗电压下的图像质量提高到了新的水平。具有高速流模式、大工作距离模式的多种工作模式。