碳基纳电子学（包括碳纳米管和石墨烯）被认为最有可能成为在未来补充甚至替代硅基器件、延续摩尔定律的新兴技术。为推动和提高我国在碳基纳电子器件方向的研究，并促进与国际同行的学术交流，北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室、信息科学技术学院物理电子学研究所于2013年7月17至26日举办了“碳基纳电子器件：基础与前沿”暑期学校。其间，特邀来自美国IBM、南加州大学、乔治?梅森大学、牛津大学、香港中文大学、香港理工大学，中国科学院物理研究所、化学研究所、苏州纳米技术与纳米仿生研究所、清华大学、厦门大学、武汉大学、华中科技大学、浙江大学以及北京大学活跃在碳基纳米材料和器件研究领域前沿、具有丰富教学经验的国内外知名学者前来授课。除了基于碳基纳电子学基础知识和前沿进展的主题讲座以外，暑期学校精心安排了为期三天的实验课程，使学员有机会在北京大学微纳米超净加工实验室的超净间内动手操作，亲身体验从纳米材料生长到纳电子器件制备和器件电学性能表征的完整过程。

此外，7月21日，暑期学校主办方还组织了碳基纳电子学前沿研讨会。重点实验室主任、信息科学技术学院电子学系主任彭练矛教授主持并致开幕词。与会学者针对当前国际上碳纳米管和石墨烯器件的研究进展、未来5至10年内的发展方向以及未来在集成电路技术和量子信息处理等方面的新应用展开讨论，反响热烈。

除了北京大学相关院系的师生外，暑期学校更吸引了来自中国科学院金属研究所、长春光学精密机械与物理研究所、华中科技大学、国防科技大学、华北电力大学、三峡大学等科研院所和高校的近80名研究生、博士后以及青年教师参加。学员纷纷表示，通过暑期学校和研讨会的学习，开阔国际视野，对碳基纳电子学有了更深入、更全面的了解，同时增强了对该领域发展前景的信心；特别值得一提的是，通过实验课的体验，学员们对纳电子器件的制备和研究有了更直观的认识。

编辑：舍予

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