服务特色
 　　微电子器件与电路教育部重点实验室是教育部批准成立的重点实验室，以北京大学信息科学技术学院微电子学研究院为依托而成立。北京大学微电子学与固体电子学专业现拥有四个国家或部委重点实验室，即国家级微米/纳米加工技术重点实验室、北方微电子研究开发基地新工艺新器件新结构国家计委专项实验室，北京市软硬件协同设计(原名软件固化)高科技重点实验室和微电子器件与电路教育部重点实验室。
　　微电子器件与电路教育部重点实验室的主要研究方向是ULSI新结构器件；射频SOI器件；宽禁带半导体材料与器件；MOS器件可靠性物理及应用；嵌入式微处理器；信息安全芯片；多目标芯片；硅基MEMS加工与设计技术；MEMS器件；MEMS封装与测试技术。

科研队伍和骨干专家 
1.科研队伍
　　北京大学微电子学研究院共有教职员工92人，其中中科院院士1人，教授16人、研究员2人、教授级高工3人，副教授17人，高工9人，中级职称者22人，初级职称者2人。
2.骨干专家
　　王阳元，中国科学院院士，教授，博士生导师。1958年毕业于北京大学物理系物理专业。主要研究领域是微纳电子器件物理；新结构微纳电子器件；超大规模集成电路制备工艺；射频集成电路技术；微电子发展战略。
　　张兴，教授, 博士生导师。1993年 获得 工学博士学位（航天771研究所）。主要研究的领域是微纳电子新结构器件；超大规模集成电路制备工艺；专用集成电路设计；器件参数提取技术。

科研成果 　　

微电子器件与电路教育部重点实验室“十五”期间，共发表论文近800篇，其中被SCI录用191篇，被EI录用332篇；共申请专利108项，有27项已获专利授权。简单介绍下部分获奖发明：
1.硅基MEMS技术及应用研究
　　“硅基MEMS技术及应用研究”获国家发明二等奖和北京市科技进步一等奖；   
2. 小尺寸MOS器件可靠性及其应用技术研究和CMOS/SOI ASIC及深亚微米器件电路研究
　　“小尺寸MOS器件可靠性及其应用技术研究”和“CMOS/SOI ASIC及深亚微米器件电路研究”均获科技部、财政部、国家计委、国家经贸委“九五”国家重点科技攻关计划优秀科技成果；   
3. 新型抗辐照CMOS/SOI集成电路技术研究
　　“新型抗辐照CMOS/SOI集成电路技术研究”获信息产业部科技进步二等奖；   
4. 用于集成电路芯片检测与分析的比例差值算符及其应用技术
　　“用于集成电路芯片检测与分析的比例差值算符及其应用技术”获教育部科技进步二等奖。

名称1： 示波器
原值（万元） 170.35
厂商及型号： 安捷伦 DSA-X91604A
主要性能参数： 双通道模式：16G宽带，80GSa/s采样速率，50M存储深度；四通道模式：16G宽带，40GSa/s采样速率，50M存储深度；BPS上开时间，150fs最低本底抖动，低于2.04mv本底噪声。
功能用途： 观察各种不同信号幅度随时间变化的波形曲线，还可以用它测试各种不同的电量。